オーバークロックワークス【G.Skill Extreme Series PC4800 FR 2.5-4-4-8 Dual Channel】

G.Skill Extreme Series PC4800 FR 2.5-4-4-8 Dual Channel

G.Skill DDR600の廉価版！

▲パッケージ入りの2枚組です。(スプレッダのデザインが変更になることがあります）

▲Samsung TCCDチップ

	メーカーページ http://www.gskill.com/
Model Name:F1-4800DSU2-1GBFR PC4800(DDR600) 512MB×2 CL2.5-4-4-8-2T Timings at 2.7～2.9V 基盤：B6U808（6層基盤）チップ：Samsung K4H560838F-TCCD ※チップはメーカースペックによる

台湾のメモリブランドG.Skillのオーバークロックメモリです。
基盤はOC耐性が高いB6U808、チップはSamsung TCCDの選別品です。

Computex2005にてメーカーと話をする機会がありましたが、かなりチップの選別にこだわっていて、実際メモリのラインナップもクロック、レイテンシーによって細かくわかれています。このメモリはDDR600の高クロック動作にフォーカスした製品です。

【テスト機材】
M/B	DFI LANPARTY UT nF4-D BIOS：Bata 414-3 →最新Beta BIOSはこちら
CPU	Athlon64 3200+ (Venice Core) Lot：LBBLE 0517BPDW
CPUクーラー	Thermalright XP-90 　+VANTEC Tornado 92mm

【Memtest86+検証】

【テスト時のBIOS設定】
LDT/FSB Frequency Ratio	×3
CPU/FSB Frequency Ratio	×8
Vddr	2.6V
Memory Timing	2.5-4-4-8-2T

メーカースペック（DDR600、メモリタイミング2.5-4-4-8-2T）でMemtest86+ v1.55を廻してみましたが、しっかりノーエラー。メモリ電圧を2.6Vとメーカースペックよりワザと低く設定していますが、テスト環境では問題なく動作しました。低電圧で高クロック動作が可能ですので、Athlon64ベースのキューブタイプなど、メモリ電圧の設定が限られている機種での使用にも向いていると思います。SPDは2.5-4-4-8が入っていますので、AUTO設定ではこのタイミングで起動します。

DDR600、1Tでの動作報告もあります。

→このメモリのオーバークロック掲示板の話題

【Superπ限界クロック】

【限界OCのBIOS設定】
LDT/FSB Frequency Ratio	×3
CPU/FSB Frequency Ratio	×8
CPU VID Control	1.375V
CPU VID Special Control	×123%
LDT Voltage Control	1.3V
Chip Set Voltage Control	1.6V
Vddr	2.9V
Memory Timing	2.5-4-4-8-1T

Superπ完走限界クロックは320MHz(DDR640)でした。耐性は十分かと思います。ちなみに2Tでも行いましたが、同じく320MHzと限界値は変わりませんでした。メモリ電圧はメーカースペック最大値の2.9Vを設定しています。

G.SkillのSamsung TCCDのラインナップでは廉価版的な位置づけですが、ハイクロック常用メモリとしては非常にいいメモリかと思います。

【G.Skill公式ページ推奨マザーボード】
DFI LP UT NF4 Ultra-D ; DFI LP UT NF4 SLI-D ; DFI LP UT NF4 SLI-DR ; MSI K8N NEO4 Platimin ; MSI K8N NEO4 SLI Platimin ; MSI K8N NEO4 Diamond

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